Лазерный эллипсометр ЛЭФ-777 для пооперационного технологического контроля в микро- и наноэлектронике

ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)

Эллипсометр предназначен для пооперационного технологического контроля основных параметров тонкопленочных полупроводниковых структур в условиях высокотехнологичных производств твердотельной микро- и наноэлектроники, а также для использования в других областях промышленности и для проведения научных исследований. Прибор является первой в РФ промышленно-ориентированной моделью автоматического эллипсометра для технологического контроля в составе производственной линии. Эллипсометр позволяет с высокой производительностью и точностью осуществлять контроль тонких пленок различных материалов на образцах до 200 мм.

Основные технические характеристики прибора:

Источник света: Полупроводниковый лазер, λ=635 нм
Погрешность измерения показателя преломления монослоя, не более 0,005
Чувствительность к изменению толщины пленки монослоя,  не более 0,05 нм
Погрешность измерения толщины монослоя,  не более 0,2 нм
Чувствительность к изменению оптических констант, не более 0,0003
Погрешность измерения состава, не более 0,005 мольных долей
Диапазон измеряемых толщин, нм до 50000
Время единичного измерения, не более 1 мсек

 

Общий вид прибора

Технико – экономическое преимущество

Эллипсометр разработан с использованием современных схемотехнических решений и уникальной элементной базы, что обеспечивает высокую точность измерений и быстродействие, которое определяется только временем накопления и оцифровки сигналов. Минимальное время измерения эллипсометра составляет 40 микросекунд, а оптимальное, при котором достигается чувствительность измерений поляризационных углов на уровне 0.003°, не более 1 мс.

Области применения

Научные учреждения, а также промышленные предприятия высокотехнологичных областей производства, занимающиеся научно-исследовательскими и опытно-технологическими работами в области создания современных функциональных материалов полупроводниковой микро- и наноэлектроники.

Уровень практической реализации

Опытный образец.

 

Адрес: 630090 Новосибиpск, пp. Ак.Лавpентьева 13, ИФП СО РАН

Тел.: +7(383)330-90-55

Факс: +7(383)333-27-71

E-mail: ifp@isp.nsc.ru

Сайт: www.isp.nsc.ru