Спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем

ФГБНУ Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук» (ФИЦ КНЦ СО РАН)

Краткое описание:

В Институте физики им. Л.В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН разработан универсальный автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем для исследований магнитного резонанса в широком классе магнитоупорядоченных веществ.

Пояснительная записка:

Магнитный резонанс является одним из наиболее мощных и информативных методов изучения магнитных свойств. Особенностью магнитного резонанса в упорядоченных магнетиках является то, что в зависимости от типа магнитного упорядочения исследуемого кристалла в очень широких пределах могут меняться как абсолютные значения резонансных полей и частот, так и функциональная зависимость между ними.

Возможности серийных ЭПР-спектрометров, работающих на фиксированных частотах, для исследований частотно-полевых зависимостей резонанса в широком классе магнетиков сильно ограничены. Поэтому специально для исследований магнитного резонанса в магнитоупорядоченных веществах в Институте физики им. Л.В. Киренского СО РАН был разработан универсальный автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем.

Спектрометр обладает уникальным сочетанием возможностей: широкий диапазон частот (25 – 140 ГГц) достигается за счет многомодового режима волновода и набора сменных генераторов; для получения магнитных полей напряженностью до 100 кЭ используется импульсный метод; интервал рабочих температур составляет 4,2 – 400 К. Автоматизация спектрометра выполнена на базе высокоскоростной платы АЦП. Благодаря своей универсальности, спектрометр используется для исследования резонансных свойств антиферромагнетиков, ферро- и ферримагнетиков, парамагнетиков (монокристаллические и поликристаллические образцы, нанокристаллы).

В.И. Тугаринов, А.И. Панкрац, И.Я. Макиевский. Автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем // Приборы и техника эксперимента.— 2004.— № 4.— С. 56—61.

Технические параметры установки:

  • Рабочая частота 25—140 ГГц.
  • Импульсное магнитное поле напряженностью до 100 кЭ.
  • Длительность импульса τ=12,63 мсек.
  • Неоднородность поля в центре катушек не хуже 5•10-4 в объеме 1 мм3.
  • Диапазон температур 4.2—400 К.
  • Емкость батареи конденсаторов (МБГВ – 200/1000) 18,9 мФ.
  • Максимальное напряжение заряда 1000 В.

Контактные данные:

Ведущий научный сотрудник лаборатории резонансных свойств магнитоупорядоченных веществ (ИФ СО РАН)

д.ф.-м.н. Панкрац Анатолий Иванович

Тел.: (391) 249-45-39, (391) 243-07-63

Эл. почта: pank@iph.krasn.ru