Газоразрядное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником.

Институт физического материаловедения

Авторы: Семенов А.П., Семенова И.А., Цыренов Д.Б-Д., Николаев Э.О.

Рассмотрено газоразрядное устройство на основе планарного магнетрона и плазменного ионного источника. Продольная инжекция ионного пучка в магнетрон и распыление ионным пучком катода и центрального анода магнетрона способствует зажиганию аномального тлеющего разряда низкого давления < 8⋅10-2 Па в магнетроне. Установлено, что напряжение зажигания разряда падает с повышением энергии ионов и пороговым образом зависит от тока ионного пучка. Показано, газоразрядное устройство, сочетающее достоинства нового принципа построения газоразрядной техники выращивания покрытий в вакууме путем распыления мишеней плазменными ионами аномального тлеющего разряда и ионным пучком, существенно расширяет функциональные возможности магнетрона и позволяет принципиально улучшить его физико-технические характеристики и функциональные возможности при синтезе, в частности, наноструктурированных композитных покрытий TiN–Cu.

Публикации:

1. Semenov A.P., Semenova I.A., Tsyrenov D.B-D., Nikolaev E.O. A gas-discharge sputtering device based on a planar magnetron with an ion source // Instruments and Experimental Techniques. – 2020. – Vol. 63. – No. 5. – P. 782–786. DOI: 10.1134/S0020441220050218

Рисунок: Газоразрядное устройство. 1,5,6 – катоды; 2,3,7 – аноды; 4,8 – кольцевые магниты; 9 – эмиссионный канал; 10 – ускоряющий электрод; 11 – ионный пучок; 12 – подложки; 13 – створчатая заслонка.