Спектральный термоэллипсометрический комплекс для исследования и характеризации низкотемпературных процессов на поверхности ГЭС КРТ в процессе роста

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Характеристика

Комплекс предназначен для исследования и характеризации низкотемпературных процессов на поверхности гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в процессе их выращивания в высоковакуумных технологических установках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Принцип действия комплекса основан на быстром синхронном измерении спектральных зависимостей эллипсометрических углов методом спектральной эллипсометрии реального времени. Измерительная часть комплекса разработана на основе оригинальной быстродействующей статической схемы эллипсометрических измерений (Патент РФ №2302623).

Комплекс снабжен комплектом программного обеспечения для вычисления температуры растущего поверхностного слоя ГЭС КРТ, а также для определения его структурного совершенства, оптических констант и толщины.

Спектральный термоэллипсометрический комплекс, установленный на установке МЛЭ КРТ «Обь-М»

Основные технические характеристики прибора:

– Спектральный диапазон 350-1000 нм.

– Спектральное разрешение 2 нм.

– Время измерения полного спектра 15 сек.

– Диапазон измеряемых температур 20-350 С.

– Погрешность измерения температуры ± 3 С.

– Размер зондируемого поля образца 5-8 мм.

 Технико-экономические преимущества: Благодаря высокой скорости измерений, наряду с хорошей точностью и низкой зависимостью от флуктуаций светового излучения термоэллипсометрический комплекс позволяет эффективно контролировать температуру растущего слоя. При этом, в отличие от традиционных пирометрических систем, измеряется непосредственно температура поверхности.

Области применения: Научные учреждения, а также промышленные предприятия высокотехнологичных областей производства, занимающиеся научно-исследовательскими и опытно-технологическими работами в области создания современных функциональных материалов полупроводниковой микро- и наноэлектроники.

Уровень практической реализации: Опытный образец.