Трехмерный топологический изолятор на основе пленки HgTe

М.Л. Савченко, Д.А. Козлов, Н.Н. Васильев, З.Д. Квон, А.В. Колесников, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Установлено, что пленка HgTe толщиной 200 нм, превышающей толщину псевдоморфного роста HgTe на подложке CdTe, обладают невырожденными по спину поверхностными электронами и вырожденными объемными носителями заряда. Данный вывод сделан по результатам совместного анализа поведения классического и квантового магнетотранспорта и квантовой емкости структуры. Тем самым впервые показано, что топологические поверхностные зоны могут существовать не только в изоляторах, но и в бесщелевых полупроводниках.

Публикации:

M.L. Savchenko, D.A. Kozlov, N.N. Vasilev, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, A.V.  Kolesnikov, Phys. Rev. B 99, 195423 (2019)