М.Л. Савченко, Д.А. Козлов, Н.Н. Васильев, З.Д. Квон, А.В. Колесников, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Установлено, что пленка HgTe толщиной 200 нм, превышающей толщину псевдоморфного роста HgTe на подложке CdTe, обладают невырожденными по спину поверхностными электронами и вырожденными объемными носителями заряда. Данный вывод сделан по результатам совместного анализа поведения классического и квантового магнетотранспорта и квантовой емкости структуры. Тем самым впервые показано, что топологические поверхностные зоны могут существовать не только в изоляторах, но и в бесщелевых полупроводниках.
Публикации:
M.L. Savchenko, D.A. Kozlov, N.N. Vasilev, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, A.V. Kolesnikov, Phys. Rev. B 99, 195423 (2019)