С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Р.Н. Меньшиков,
D.B. But, M. Mittendorff, C. Consejo, F. Teppe, C. Faugeras, S. Winnerl, M. Helm, W. Knap,
M. Potemski, M. Orlita
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
CNRS & University of Montpellier, Montpellier, France
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, Germany
Universität Duisburg-Essen, Fakultät für Physik, Duisburg, Germany
Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, Grenoble, France
Faculty of Physics, Institute of Experimental Physics, University of Warsaw, Warsaw, Poland
Charles University, Faculty of Mathematics and Physics, Prague, Czech Republic
Показано, что активная среда на основе бесщелевого HgCdTe, содержащая безмассовые электроны Кейна, является перспективным кандидатом для перестраиваемого лазера, который будет работать в ТГц и инфракрасном спектральных диапазонах. Гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) теллурида кадмия и ртути (КРТ, HgCdTe), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), соответствует бесщелевому энергетическому спектру. Физические явления в таком материале обусловлены существованием трехмерных (3D) безмассовых электронов Кейна. Исследования с помощью зондирования накачкой лазером на свободных электронах линейно- и циркулярно поляризованного излучения при изменении магнитного поля от 0 до 8 Тл показали, что наблюдаемое увеличение времени релаксация вызвано медленной релаксацией фотовозбужденных электронов на три порядка большей, чем в полупроводниках с параболическим зонным спектром (Рис.1 слева). Такое поведение объясняется неэквидистантным положением уровней Ландау, что приводит к подавлению Оже-рекомбинации.
Публикации:
D.B. But, M. Mittendorff, C. Consejo, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, C. Faugeras, S. Winnerl, M. Helm, W. Knap, M. Potemski, M. Orlita, Nature photonics, 13 (11), 783-787 (2019)