Устройство для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой пленки

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Характеристика

Устройство относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к устройствам, специально предназначенным для изготовления или обработки полупроводниковых приборов, или приборов на твёрдом теле, или их частей, и может быть использовано для отделения от ростовой подложки композитной структуры по жертвенному слою, изготовленной на основе сплошной эпитаксиальной плёнки полупроводниковых соединений АIIIВV, характеризующейся большой площадью и малой толщиной (от 2 до 50 мкм), переноса её на вакуумный захват или на временный носитель.

Рис. 1. Схема устройства для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой плёнки. 1 – основание, 2 – дренажная трубка; 3 – упор; 4 – сильфон; 5 – мембрана-носитель; 6 – композитная структура; 7 – ростовая подложка; 8 – предметный столик; 9 – уровень травителя резервуара.

Технико-экономические преимущества

Предлагаемое устройство (RU 2 683 808 C1) для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой плёнки решает техническую проблему предотвращения деградации качества композитной структуры с эпитаксиальной плёнкой полупроводниковых соединений А3В5 большой площади (диаметром от 100 мм или более), как в процессе отделения её от ростовой подложки, так и в процессе последующих манипуляций, включая перенос отделённой композитной структуры на фиксирующие приспособления технологического оборудования, как в газовой, так и в жидкой среде, а также на временный носитель.

Достигаемым техническим результатом является:

– устранение механических воздействий на отделяемую композитную структуру – отгибающих её края усилий с целью облегчения отделения структуры, приводящих к появлению упругих механических напряжений, обуславливающих значительную деформацию, приводящую к растрескиванию;

– предотвращение коробления, сохранение расправленного состояния композитной структурой при её отделении от оправки для переноса на фиксирующие приспособления технологического оборудования или на временный носитель;

– достижение сохранности эпитаксиальной плёнки как в процессе отделения композитной структуры от ростовой подложки, так и при последующем переносе композитной структуры на фиксирующие приспособления технологического оборудования или на временный носитель.

Тем самым достигается снижение технологических операций по отделению тонкой полупроводниковой плёнки в 2-3 раза, а, следовательно, и финансовые издержки.

Области применения: Электроника, микроэлектроника, производство гибких солнечных элементов.

Уровень практической реализации: Лабораторный макет.